SK海力士计划明年量产96层3D NAND闪存

       SK海力士已投资15万亿韩元（约135亿美元）在清州建设M15工厂，主要生产72层和96层3D NAND闪存。据外媒报道，随着M15工厂的建成，SK海力士将加速大规模生产第五代96层3D NAND闪存。

　　报道称，纪念工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略，来巩固其市场主导地位。

　　据悉，为应对3D NAND市场的巨大变化，SK海力士M15工厂的建成完工比原计划提前了近6个月。半导体行业分析师表示，“三星电子7月份开始已批量生产96层3D NAND闪存，而东芝和美光计划也将效仿。SK海力士的完工日期提前，部分原因是中国公司在3D NAND闪存市场的积极宣传。”

　　与DRAM不同，3D NAND闪存是非易失性存储器半导体，即使在电源关闭时也不会丢失数据。外媒称，大规模生产96层3D NAND闪存不仅证明了SK海力士的先进技术，也将有助于扩大SK海力士在3D NAND市场的份额。

　　除此之外，96层3D NAND闪存的批量生产也可以使SK海力士的盈利结构更加平衡。去年，SK海力士在在DRAM领域的营业利润占其总营业利润的90％，其中NAND部门的份额不到10％。相比之下，三星电子的DRAM营业利润占63％，NAND业务占32％。

　　从目前来看，韩国、日本和美国的半导体存储器公司在96层3D NAND闪存的竞争将进一步加剧。其中，东芝于今年6月宣布，已完成与西部数据的96层3D NAND闪存技术研发，东芝预计最迟将在今年年底或明年年底生产96层3D NAND闪存；此外，美光计划通过与英特尔的技术合作，在今年完成96层3D NAND闪存技术研发。

　　值得一提的是，中国的长江存储在3D NAND闪存方面也已经取得了重要突破。紫光集团联席总裁刁石京曾透露，中国首批拥有自主知识产权的32层3D NAND闪存芯片将于今年第四季度实现量产。此外，64层3D NAND闪存芯片研发也在紧锣密鼓地进行，计划2019年实现量产。